@case555
日刊工業新聞電子版 @Nikkan_BizLine
12年4月17日
富士通など10社、次世代の記憶素子であるスピン注入型不揮発性磁気メモリー(MRAM)の実用化に必要な素子の信頼性を初めて実証 t.co/stzzwS3j
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Permalink - 2012年04月17日
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