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2012年04月17日(火)

日刊工業新聞電子版 @Nikkan_BizLine

12年4月17日

富士通など10社、次世代の記憶素子であるスピン注入型不揮発性磁気メモリー(MRAM)の実用化に必要な素子の信頼性を初めて実証 t.co/stzzwS3j

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posted at 15:45:40

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